三星明年完成3nm GAA工藝开发 性能大涨35%

三星明年完成3nm GAA工藝开发 性能大涨35%

盡管日本嚴格管制半導體材料多少都會影響三星的芯片、面板研發、生産,但是上周三星依然在日本舉行了“三星晶圓代工論壇”SFF会议,公布了旗下新一代工藝的进展,其中3nm工藝明年就完成开发了jWK顯卡之家

三星在10nm7nm5nm節點的進度都會比台積電要晚一些,導致台積電幾乎包攬了目前的7nm芯片訂單,三星只搶到IBMNVIDIA及高通部分訂單。不過三星已經把目標放在了未來的3nm工藝上,预计2021年量産。jWK顯卡之家

3nm節點,三星將從FinFET晶體管轉向GAA环绕栅极晶体管工藝,其中3nm工藝使用的是第一代GAA晶體管,官方稱之爲3GAE工藝。jWK顯卡之家

根據官方所說,基于全新的GAA晶體管結構,三星通過使用納米片設備制造出了MBCFETMulti-Bridge-Channel FET,多橋-通道場效應管),該技術可以顯著增強晶體管性能,主要取代FinFET晶體管技術。jWK顯卡之家

此外,MBCFET技術還能兼容現有的FinFET制造工藝的技术及设备,从而加速工藝开发及生产。jWK顯卡之家

在這次的日本SFF會議上,三星還公布了3nm工藝的具体指标,与现在的7nm工藝相比,3nm工藝可将核心面积减少45%,功耗降低50%,性能提升35%jWK顯卡之家

在工藝进度上,三星今年4月份已經在韓國華城的S3 Line工廠生産7nm芯片,今年內完成4nm工藝开发,2020年完成3nm工藝开发。jWK顯卡之家

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